Home > Search Results: keywords:"oxidation induced stacking faults"
Search:
Search Tips :: Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
National Repository of Grey Literature 2 records found  Search took 0.01 seconds. 
Microdefects in Czochralski Silicon
 Válek, Lukáš ; Fejfar, Antonín (referee) ; Mikulík, Petr (referee) ; Spousta, Jiří (advisor)
Disertační práce se zabývá studiem defektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku legovaných bórem. Práce studuje vznik kruhových obrazců vrstevných chyb pozorovaných na povrchu křemíkových desek po oxidaci. Hlavním cílem práce je objasnit mechanismy vzniku pozorovaného rozložení vrstevných chyb na studovaných deskách a vyvinout metody pro řízení tohoto jevu. Na základě experimentálních analýz a rozborů obecných mechanismů vzniku defektů jsou objasňovány vazby mezi vznikem defektů různého typu. Tyto jsou pak diskutovány v souvislosti s parametry krystalu i procesu jeho růstu. Takto sestavený model je využit pro vývoj procesu růstu krystalů, kterým je potlačen nadměrný vznik defektů ve studovaných deskách. Za účelem studia defektů jsou zaváděny a vyvíjeny nové analytické metody. Disertační práce byla vytvořena za podpory ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
Detailed record
Microdefects in Czochralski Silicon
 Válek, Lukáš ; Fejfar, Antonín (referee) ; Mikulík, Petr (referee) ; Spousta, Jiří (advisor)
Disertační práce se zabývá studiem defektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku legovaných bórem. Práce studuje vznik kruhových obrazců vrstevných chyb pozorovaných na povrchu křemíkových desek po oxidaci. Hlavním cílem práce je objasnit mechanismy vzniku pozorovaného rozložení vrstevných chyb na studovaných deskách a vyvinout metody pro řízení tohoto jevu. Na základě experimentálních analýz a rozborů obecných mechanismů vzniku defektů jsou objasňovány vazby mezi vznikem defektů různého typu. Tyto jsou pak diskutovány v souvislosti s parametry krystalu i procesu jeho růstu. Takto sestavený model je využit pro vývoj procesu růstu krystalů, kterým je potlačen nadměrný vznik defektů ve studovaných deskách. Za účelem studia defektů jsou zaváděny a vyvíjeny nové analytické metody. Disertační práce byla vytvořena za podpory ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
Detailed record

Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.
Digital Repository :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.2
Maintained by admin.invenio@techlib.cz
This site is also available in the following languages:
Česky  English